EEPROM

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ST M24C02 EEPROM
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EEPROM (também escrita E2PROM, e pronunciada "e-e-prom"), sigla do inglês de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory, é um tipo de memória não-volátil usada em computadores e outros dispositivos eletrônicos para armazenar pequenas quantidades de dados que precisam ser salvos quando a energia é removida, por exemplo, dados de configuração do dispositivo. Apesar de no nome se declarar Read-Only, esse foi classificado incorretamente, pois é tanto Read/Ler, quanto Write/Escrever, pelo fato de que códigos de erro no OBD-II poderem ser removidos independentemente, dentre outras características. Este se assemelha à denominação incorreta de ROM dos smartphones, conforme a Ciência da Computação.

Ao contrário da maioria dos outros tipos de memória não-volátil, bytes individuais em uma EEPROM tradicional pode ser lidos, apagados e re-escrita de forma independente.

Atualmente já existe uma memória não-volátil mais moderna, derivada da EEPROM, a memória flash. Quando grandes quantidades de dados estáticos devem ser armazenados (por exemplo, em unidades flash USB) a memória flash é mais econômica do que os dispositivos tradicionais de EEPROM.

Enquanto uma EPROM é programada por um dispositivo eletrônico que dá tensões maiores do que os usados normalmente em circuitos elétricos e pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta, a EEPROM pode ser programada e apagada dentro do próprio circuito, eletricamente, pela aplicação de sinais de programação especiais. Originalmente, EEPROMs foram limitados a operações de byte único que os fizeram mais lento, mas EEPROMs modernos permitem operações com múltiplos bytes.

Embora uma EEPROM possa ser lida, um número praticamente ilimitado de vezes, ela possui uma vida útil limitada - isto é, o número de vezes que pode ser reprogramada (apagada e programada novamente) foi limitado a dezenas ou centenas de milhares de vezes, devido a contínua deterioração interna do chip durante o processo de exclusão que requer uma tensão elétrica mais elevada. Essa limitação foi estendido para um milhão de operações de gravação em EEPROM modernos. Entretanto essa vida útil da EEPROM, se torna uma importante consideração a ser feita, quando seu uso em um computador, por exemplo, tenha uma previsão de frequentes reprogramações. É por esta razão que EEPROMs foram utilizados para informações de configuração, ao invés de memória de acesso aleatório.

Como cada novo dado gravado no chip requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação.

Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM estão aos poucos substituindo as EEPROMs em algumas aplicações.

História

Eli Harari na Hughes Aircraft, inventou a EEPROM em 1977 utilizando, o tunelamento de Fowler-Nordheim, esse processo utiliza de uma tensão elétrica, geralmente entre 10 a 13 volts, aplicados à porta flutuante, para mudar o valor da célula para "0", corrente essa que vem da coluna, ou bitline (linha de bits), entra na porta flutuante e é drenada para a fonte. E com uma tensão mais alta é possível fazer com que os elétrons nas células do chip de mémoria se tornem "1". [1][2]A Hughes passou a produzir os primeiros dispositivos EEPROM. Em 1978, George Perlegos na Intel desenvolveu o Intel 2816, que foi construído anteriormente com a tecnologia EPROM, mas passou a utilizar uma camada de óxido de porta flutuante permitindo que o chip pudesse apagar seus próprios dados sem uma fonte de UV. Perlegos e outros desenvolvedores, deixaram a Intel para formar Seeq Technology, que utilizou novos dispositivos de carga para abastecer as altas voltagens necessárias para a programação de EEPROMs.[3][4]